越来越薄的薄膜会受到局部高电场在其界面处产生的热载流子效应的损坏。我们开发了几款基于氘的产品,以帮助您管理这些新需求,并将设备的使用寿命延长多达 50 倍。
⦁ 氘 (D2)
⦁ 氘代硅烷 (SiD4)
⦁ 氘代氨 (ND3)
可用性和规格可能因地点而异。请联系您当地的 Linde 代表了解更多信息。

随着临界尺寸降低到原子尺度,由于其独特的化学和物理行为,单个同位素的重要性越来越大。同位素纯薄膜性能进一步增强并消除了由不需要的同位素引起的风险。
您可以在下面的位置找到我们产品的概述。
越来越薄的薄膜会受到局部高电场在其界面处产生的热载流子效应的损坏。我们开发了几款基于氘的产品,以帮助您管理这些新需求,并将设备的使用寿命延长多达 50 倍。
⦁ 氘 (D2)
⦁ 氘代硅烷 (SiD4)
⦁ 氘代氨 (ND3)
可用性和规格可能因地点而异。请联系您当地的 Linde 代表了解更多信息。
我们还推出了富含硼 11 的乙硼烷作为天然(非富集)乙硼烷的替代品。在小型设备中从乙硼烷中去除硼 10 对于延长设备的使用寿命和降低软错误率起着关键作用。
⦁ 富含 11 的三氟化硼 (11BF3)
⦁ 富含硼 11 的二硼烷 (11B2H6)
可用性和规格可能因地点而异。请联系您当地的 Linde 代表了解更多信息。
